软银、英特尔研发新型AI内存芯片 耗电量减半

6月2日，据日经亚洲报道，软银正与英特尔联手开发一款新型AI专用内存芯片，该芯片能耗预计远低于现有产品，为日本打造节能高效的人工智能基础设施提供了重要技术支撑。

双方计划研发一种创新的堆叠式DRAM芯片，通过采用与现有高带宽内存（HBM）不同的布线方式，实现了约50%的功耗降低。这一突破性设计为AI计算提供了更高效能比的解决方案。

负责此项目的公司名为Saimemory，其技术基础来源于英特尔的创新成果，并整合了东京大学等顶尖学府的多项专利技术。在运营模式上，Saimemory主要专注于芯片的设计与知识产权管理，而制造环节则将外包给专业的代工厂。

按照规划，项目团队计划用两年时间完成原型开发，并对其量产可行性进行评估。目标是在本十年内实现该技术的商业化应用，整个项目的总投资预计将达到100亿日元（约合人民币5亿元）。

作为主要投资方，软银此次投入了30亿日元（约合人民币1.5亿元）。此外，日本理化学研究所和神港精机也表示将考虑提供资金或技术支持。同时，项目团队还在积极申请相关政府支持政策。

软银计划首先将这种新型存储器应用于其AI训练数据中心。随着人工智能在企业管理和其它高端领域的广泛应用，对高性能、高效率数据处理的需求日益增长。这种低能耗的芯片解决方案，将为构建高质量的数据中心提供更经济的选择，推动AI技术的普及和应用。