HBM之父预测：高带宽闪存商业化加速，HBM6推动

1月17日，被誉为”HBM之父”的韩国KAIST学者金钟赫在一场论坛上指出，虽然HBM（高带宽内存）从问世到成为行业主流耗时近十年，但HBF（高带宽闪存）的发展速度将更快。

这一判断主要基于两大因素：首先，各大存储厂商在研发HBM的过程中积累了丰富的堆叠技术经验；其次，AI技术的迅猛发展使得现有HBM的容量难以满足日益增长的数据需求。

继SK海力士之后，三星电子也加入闪迪主导的HBF技术阵营。三家厂商正携手推动HBF标准化进程。行业分析人士预测，HBF的带宽将突破1638GB/s（相当于PCIe 6.0×4的50倍），容量可达512GB。

在商业化进程中，SK海力士计划于本月晚些时候展示HBF早期版本。三星电子与闪迪则以2027年底至2028年初为目标，将HBF应用于英伟达、AMD和谷歌的AI加速芯片中。而HBF的大规模应用将等到HBM6发布，屆時每片基底晶圓將整合多個存儲堆疊。

金钟赫认为，HBM与HBF的关系猶如書房與圖書館：前者容量有限但使用便捷，後者雖然容量更大但在訪問速度上有所犧牲。他還強調，在NAND閃存和DRAM內存的本質差異下，軟件工程師需要優化操作HBF數據的算法，最大限度降低寫入次數。